SIR668DP-T1-RE3, моп-транзистор 100v vds 20v vgs powerpak so-8
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание SIR668DP-T1-RE3
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SIR |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 506.600 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 104 W |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 25 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 95 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 108 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 85 S |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара