ZXMN6A25GTA, моп-транзистор n-chan 60v моп-транзистор (umos)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Chan 60V МОП-транзистор (UMOS)
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
ZXMN6A25GTA
Описание ZXMN6A25GTA
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-223-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | ZXMN6A25 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Ширина | 3.7 mm |
| Pd - рассеивание мощности | 3.9 W |
| Вес изделия | 112 mg |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single Dual Drain |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 6.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 10.6 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Типичное время задержки выключения | 26.2 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара