MMBT3904FN3_R1_00001, биполярные транзисторы - bjt /ac/tr/7"/hf/8k/dfn 3l/tra/dfn/gpt-03fnn/gpt03-qi85/pj///

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы - BJT /AC/TR/7"/HF/8K/DFN 3L/TRA/DFN/GPT-03FNN/GPT03-QI85/PJ///
Код товара: 10425659
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка MMBT3904FN3_R1_00001 , Биполярные транзисторы - BJT /AC/TR/7"/HF/8K/DFN 3L/TRA/DFN/GPT-03FNN/GPT03-QI85/PJ/// в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание MMBT3904FN3_R1_00001

Упаковка / блокDFN3
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
СерияGPT-03FNN
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Pd - рассеивание мощности250 mW
Вес изделия1.100 mg
ECCNEAR99
Вид монтажаSMD/SMT
КонфигурацияSingle
ТехнологияSi
Полярность транзистораNPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.300 at 10 mA, 1 V
Непрерывный коллекторный ток200 mA
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100 at 10 mA, 1 V