HN1B01FU-GR,LF, Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
9,81 руб.
Нет в наличии
Описание HN1B01FU-GR,LF
| Серия | HN1B01 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz, 120 MHz |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HN1B01FU-GR,LF , Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 228 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара