HN1B01FU-GR,LF, биполярные транзисторы - bjt transistor for low freq sm-signal amp
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN1B01FU-GR,LF
Описание HN1B01FU-GR,LF
| Серия | HN1B01 |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 7.500 mg |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V, - 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz, 120 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара