DN3765K4-G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
DN3765K4-G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 650V, 0.3A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; Pow
Нормоупаковка:
2000 шт
Цена от:
521,11 руб.
Внешние склады
-
14+ 20+ 40+ 199+ 991+647,86 ₽ 558,67 ₽ 544,59 ₽ 530,50 ₽ 521,11 ₽Срок:25 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 14Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание DN3765K4-G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Длина | 6.73 mm |
| Ширина | 6.1 mm |
| Высота | 2.39 mm |
| Вес изделия | 4 g |
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Время спада | 100 ns |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 Ohms |
| Время нарастания | 75 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка DN3765K4-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара