LND150N3-G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
LND150N3-G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, N CH, 500V, 0.03A, TO-92-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30mA; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; Powe
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
76,64 руб.
Внешние склады
-
95+ 138+ 275+ 1372+93,58 ₽ 80,70 ₽ 78,67 ₽ 76,64 ₽Срок:25 днейНаличие:2 000Минимум:Мин: 95Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание LND150N3-G
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Длина | 5.21 mm |
| Ширина | 4.19 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Тип | FET |
| Вес изделия | 220 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 5.33 mm |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 kOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 1.3 us |
| Время нарастания | 0.45 us |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 90 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1 mOhms |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка LND150N3-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара