RW1E015RPT2R, МОП-транзистор 4V Drive Pch МОП-транзистор Drive Pch
Цена от:
13,09 руб.
Нет в наличии
Описание RW1E015RPT2R
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Тип | Power MOSFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | RW1E015RP |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET |
| Технология | Si |
| Высота | 0.65 mm |
| Длина | 1.7 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Вес изделия | 3 mg |
| Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
| Время нарастания | 8 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 270 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.2 S |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Qg - заряд затвора | 6.5 nC |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка RW1E015RPT2R , МОП-транзистор 4V Drive Pch МОП-транзистор Drive Pch
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара