TN5325K1-G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
TN5325K1-G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, 250V, 0.15A, 150DEG C, 0.36W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150mA; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; P
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
76,20 руб.
Нет в наличии
Описание TN5325K1-G
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Тип | FET |
| Ширина | 1.3 mm |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 mS |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TN5325K1-G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 235 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара