HN2C01FU-GR(T5L,F), биполярные транзисторы - bjt dual trans npn x 2 50v, 0.15a us6
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 50V, 0.15A US6
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Описание HN2C01FU-GR(T5L,F)
| Упаковка / блок | US-6 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | HN2C01 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 6.800 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара