2SB1386T100Q, биполярные транзисторы - bjt pnp 20v 5a
Описание 2SB1386T100Q
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
ECCN | EAR99 |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Ширина | 2.5 mm |
Вес изделия | 130.500 mg |
Технология | Si |
Полярность транзистора | PNP |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 82 |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара