PHE13003A.412, биполярные транзисторы - bjt transistor diff 700v 1a
Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR DIFF 700V 1A
Производитель:
WeEn Semiconductors
Артикул:
PHE13003A.412
Описание PHE13003A.412
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
---|---|
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
ECCN | EAR99 |
Вес изделия | 217 mg |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | NPN |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 400 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 700 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 9 V |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 5 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара