2SB1189T100R, биполярные транзисторы - bjt pnp 80v 0.7a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SB1189T100R
| Серия | 2SB1189 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | MPT-3 |
| Длина | 4.5 mm |
| Ширина | 2.5 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 174.451 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Высота | 1.5 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.2 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.7 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.7 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара