2SC5066-O,LF, рч биполярные транзисторы radio-frequency bipolar transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ биполярные транзисторы Radio-Frequency Bipolar Transistor
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SC5066-O,LF
Описание 2SC5066-O,LF
| Упаковка / блок | SOT-416-3 |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | 2SC5066 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 6 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 12 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 3 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 30 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 7 GHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 at 10 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара