HN2A01FU-GR(TE85LF, биполярные транзисторы - bjt trans lfreq -50v pnp pnp -0.15a
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq -50V PNP PNP -0.15A
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
HN2A01FU-GR(TE85LF
Описание HN2A01FU-GR(TE85LF
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | HN2A01 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 6 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара