TTC015B.Q, биполярные транзисторы - bjt pwr trans to-126n pc=10w f=1mh
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT PWR TRANS TO-126N PC=10W F=1MH
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TTC015B.Q
Описание TTC015B.Q
| Упаковка | Tray |
|---|---|
| Серия | TTC015B |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 840 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-126N-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара