TPH5R906NH,L1Q, моп-транзистор u-mosviii-h 60v 71a 38nc моп-транзистор
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор U-MOSVIII-H 60V 71A 38nC МОП-транзистор
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPH5R906NH,L1Q
Описание TPH5R906NH,L1Q
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOP-Advance-8 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 5 mm |
| Серия | TPH5R906NH |
| Ширина | 5 mm |
| Вес изделия | 851 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 57 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 9.9 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 71 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара