BSC112N06LDATMA1, Сборка MOSFET транзисторов
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC112N06LDATMA1
Производитель:
Артикул производителя:
BSC112N06LDATMA1
Описание Eng:
MOSFET Transistor TRENCH 40<-<100V
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
5000 шт
Цена от:
123,17 руб.
Нет в наличии
Описание BSC112N06LDATMA1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TDSON-8 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | BSC112N06 |
| Конфигурация | Dual |
| Время нарастания | 3 ns |
| Время спада | 7 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 65 W |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSC112N06LDATMA1
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара