SCTL35N65G2V, Транзистор на основе карбида кремния
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SCTL35N65G2V
Производитель:
Описание Eng:
SCTL35N65G2V, SIC MOSFET
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
1 670,10 руб.
Внешние склады
-
5+ 7+ 13+ 63+ 313+2 076,30 ₽ 1 790,46 ₽ 1 745,28 ₽ 1 700,16 ₽ 1 670,10 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 5Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание SCTL35N65G2V
| Brand | STMicroelectronics |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 40 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
| Тип корпуса | PowerFLAT 8x8 HV |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 4 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 0.067 O |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Материал транзистора | SiC |
| Серия | SCTL35N65G2V |
Способы доставки в Калининград
Доставка SCTL35N65G2V
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2304 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1548 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 720 ₽
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара