SCTL35N65G2V, Транзистор на основе карбида кремния
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SCTL35N65G2V
Производитель:
Описание Eng:
SCTL35N65G2V, SIC MOSFET
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
1 589,44 руб.
Нет в наличии
Описание SCTL35N65G2V
| Brand | STMicroelectronics |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 40 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
| Тип корпуса | PowerFLAT 8x8 HV |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 4 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 0.067 O |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Материал транзистора | SiC |
| Серия | SCTL35N65G2V |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SCTL35N65G2V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара