STB5N80K5, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STB5N80K5
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor PTD HIGH VOLTAGE
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
324,09 руб.
Внешние склады
-
23+ 33+ 65+ 321+395,78 ₽ 341,29 ₽ 332,69 ₽ 324,09 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 23Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STB5N80K5
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | STB5N80K5 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 60 W |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Вес изделия | 2.200 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 14.8 ns |
| Время нарастания | 11.7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12.7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STB5N80K5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара