STF10N60DM2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STF10N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor N-channel 600 V, 0.26 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET Transistor in a TO-220FP package
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
140,95 руб.
Внешние склады
-
51+ 74+ 148+ 738+172,13 ₽ 148,43 ₽ 144,69 ₽ 140,95 ₽Срок:25 днейНаличие:750Минимум:Мин: 51Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STF10N60DM2
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
|---|---|
| Серия | STF10N60DM2 |
| Вес изделия | 2 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Время спада | 11.5 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 440 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STF10N60DM2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара