STH410N4F7-6AG, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STH410N4F7-6AG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor LGS LV MOSFET Transistor
Нормоупаковка:
1000 шт
Цена от:
709,84 руб.
Внешние склады
-
10+ 15+ 29+ 144+ 720+882,49 ₽ 760,99 ₽ 741,81 ₽ 722,63 ₽ 709,84 ₽Срок:25 днейНаличие:1 000Минимум:Мин: 10Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание STH410N4F7-6AG
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | STH410N4F7-6AG |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 1.380 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Упаковка / блок | H2PAK-6 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 365 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 44.2 ns |
| Время нарастания | 198 ns |
| Типичное время задержки выключения | 108 ns |
| Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STH410N4F7-6AG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара