IXTA130N15X4, моп-транзистор msft n-ch ultra jnct x3 3&44
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXTA130N15X4
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 2.500 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 130 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 87 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 100 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара