STP10N105K5, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STP10N105K5
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor PTD HIGH VOLTAGE
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
283,40 руб.
Нет в наличии
Описание STP10N105K5
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | STP10N105K5 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 130 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.05 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 21.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 21.5 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STP10N105K5
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 320 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара