STP33N65M2, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STP33N65M2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET Transistor in TO-220 package
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
795,63 руб.
Нет в наличии
Описание STP33N65M2
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
|---|---|
| Серия | STP33N65M2 |
| Вес изделия | 330 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 11.5 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 117 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 41.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 72.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка STP33N65M2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 320 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара