IXFA4N100Q
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFA4N100Q
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor 4 A 1000V 2.8 Rds
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
908,09 руб.
Нет в наличии
Описание IXFA4N100Q
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXFA4N100 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 9.65 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.600 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 18 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFA4N100Q
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 289 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара