IXFH52N30P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFH52N30P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor 52 A 300V 0.066 Rds
Нормоупаковка:
300 шт
Цена от:
775,94 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH52N30P
| Серия | IXFH52N30 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Polar Power MOSFETs HiPerFET |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Вес изделия | 6.500 g |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Высота | 21.46 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 73 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 110 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 20 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH52N30P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара