IXFN52N100X
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFN52N100X
Производитель:
Описание Eng:
Discrete semiconductor module 1000V 44A SOT-227 Power MOSFET
Нормоупаковка:
10 шт
Цена от:
5 949,32 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN52N100X
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | X-Class |
| Вес изделия | 30 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 830 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 44 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 125 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| Типичное время задержки выключения | 107 ns |
| Типичное время задержки при включении | 34 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFN52N100X
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара