IXFP3N120
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFP3N120
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor 3 A 1200V 4.50 Rds
Нормоупаковка:
50 шт
Цена от:
672,52 руб.
Нет в наличии
Описание IXFP3N120
| Вес изделия | 2.300 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFP3N120 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | HiPerFET Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.2 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 39 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 18 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.5 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFP3N120
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 249 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара