2DB1386Q-13, биполярные транзисторы - bjt 1000w -20vceo

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Биполярные транзисторы - BJT 1000W -20Vceo
Код товара: 10449875
Дата обновления: 28.02.2022 08:20
Доставка 2DB1386Q-13 , Биполярные транзисторы - BJT 1000W -20Vceo в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание 2DB1386Q-13

ECCNEAR99
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Длина4.5 mm
Минимальная рабочая температура55 C
Серия2DB13
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Вес изделия52 mg
Высота1.5 mm
Ширина2.48 mm
Вид монтажаSMD/SMT
Упаковка / блокSOT-89-3
Pd - рассеивание мощности1000 mW
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораPNP
КвалификацияAEC-Q101
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.20 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)30 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120