DTA123JET1G, Транзистор одиночный цифровой

Код товара: 1045151

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
DTA123JET1G
Производитель:
Описание Eng:
Bipolar Transistor - With Preset Bias Current 100mA 50V BRT PNP
Нормоупаковка:
3000 шт

Описание DTA123JET1G

СерияDTA123JE
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Высота0.75 mm
Длина1.6 mm
Ширина0.8 mm
Вид монтажаSMD/SMT
Вес изделия476.833 mg
ECCNEAR99
Упаковка / блокSC-75-3
УпаковкаReel, MouseReel, Cut Tape
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности200 mW
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.80
Непрерывный коллекторный ток0.1 A
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
Пиковый постоянный ток коллектора100 mA
Типичный коэффициент деления резистора0.047

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка DTA123JET1G в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 152
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.