FDD86369-F085, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDD86369-F085
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor 80V 90A Dual DPAK N-Chnl PowerTrench
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
94,22 руб.
Внешние склады
-
77+ 111+ 221+ 1104+115,06 ₽ 99,22 ₽ 96,72 ₽ 94,22 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 77Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FDD86369-F085
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Серия | FDD86369_F085 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 90 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 9 ns |
| Время нарастания | 34 ns |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDD86369-F085
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 531 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2461 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1326 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 534 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 313 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара