FDMC86160ET100, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDMC86160ET100
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor FET 40V 2.1 MOHM PQFN33
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
140,32 руб.
Внешние склады
-
52+ 75+ 149+ 742+171,35 ₽ 147,77 ₽ 144,04 ₽ 140,32 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 52Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FDMC86160ET100
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FDMC86160ET100 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 0.8 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Упаковка / блок | Power-33-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Вес изделия | 152.700 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 54 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 3.4 ns |
| Время нарастания | 3.6 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 43 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 21 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench Power Clip |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 43 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDMC86160ET100
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 160 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара