2SJ305TE85LF, моп-транзистор p-ch vth -0.5 -1.5v rds 2.4ohm 200mw
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SJ305TE85LF
Описание 2SJ305TE85LF
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
|---|---|
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | 2SJ305 |
| Ширина | 1.5 mm |
| Вес изделия | 12 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 0.15 us |
| Типичное время задержки при включении | 0.06 us |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара