NTP150N65S3HF, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTP150N65S3HF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor Pwr MOSFET Transistor N-Chn SUPERFET III
Нормоупаковка:
800 шт
Цена от:
321,42 руб.
Внешние склады
-
23+ 33+ 65+ 324+392,52 ₽ 338,49 ₽ 329,95 ₽ 321,42 ₽Срок:25 днейНаличие:800Минимум:Мин: 23Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NTP150N65S3HF
| Вес изделия | 2.030 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 19 ns |
| Время спада | 14 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 192 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 43 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 14 S |
| Типичное время задержки выключения | 63 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTP150N65S3HF
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара