NTTFS1D2N02P1E, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NTTFS1D2N02P1E
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor 25V 1.2 MOHM PC33
Нормоупаковка:
3000 шт
Цена от:
317,55 руб.
Внешние склады
-
23+ 33+ 65+ 322+ 1609+394,78 ₽ 340,43 ₽ 331,85 ₽ 323,27 ₽ 317,55 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 23Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NTTFS1D2N02P1E
| Упаковка / блок | PQFN-8 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вес изделия | 70.636 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 224 S |
| Время спада | 9.8 ns |
| Время нарастания | 13 ns |
| Типичное время задержки выключения | 38.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24.6 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NTTFS1D2N02P1E
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 531 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2461 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1326 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 534 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 313 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара