NVD5C668NLT4G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVD5C668NLT4G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor T6 60V LL DPAK
Нормоупаковка:
2500 шт
Цена от:
119,39 руб.
Внешние склады
-
61+ 88+ 175+ 871+145,80 ₽ 125,73 ₽ 122,56 ₽ 119,39 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 61Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVD5C668NLT4G
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | NVD5C668NL |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вес изделия | 340 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 44 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 62 ns |
| Время нарастания | 74 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 49 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.4 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 26 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 18.7 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVD5C668NLT4G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара