NVMFS6H864NT1G, Транзистор MOSFET одиночный
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NVMFS6H864NT1G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET Transistor T8 80V SO8FL
Нормоупаковка:
1500 шт
Цена от:
58,23 руб.
Внешние склады
-
124+ 179+ 358+ 1787+71,10 ₽ 61,32 ₽ 59,77 ₽ 58,23 ₽Срок:25 днейНаличие:3 000Минимум:Мин: 124Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание NVMFS6H864NT1G
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вес изделия | 107.200 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Время нарастания | 18 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Конфигурация | Single |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 32 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 6.9 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 21.8 S |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NVMFS6H864NT1G
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара