DF2S8.2CT,L3F, подавители эср / диоды для подавления переходных скачков напряжения bias resistor built-in transistor

Name: DF2S8.2CT,L3F, Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения Bias Resistor Built-in transistor
Brand: Toshiba Semiconductor
SKU: 10454103
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения Bias Resistor Built-in transistor

Код товара: 10454103

Дата обновления: 12.12.2021 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка DF2S8.2CT,L3F , Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных скачков напряжения Bias Resistor Built-in transistor в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание DF2S8.2CT,L3F

Упаковка / блок	CST-2
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Упаковка	Reel, MouseReel, Cut Tape
Серия	DF2S8.2
Вес изделия	0.700 mg
ECCN	EAR99
Тип выводов	SMD/SMT
Количество каналов	1 Channel
Полярность	Bidirectional
Рабочее напряжение	6.5 V
Напряжение пробоя	7.7 V
Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте	30 kV
Cd - емкость диода	20 pF

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← LQW15AN5N6G8ZD 355011RFT →