TK3A65D(STA4,Q,M), моп-транзистор n-ch mos 3a 650v 35w 540pf 2.25 ohm
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-Ch MOS 3A 650V 35W 540pF 2.25 Ohm
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Описание TK3A65D(STA4,Q,M)
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Высота | 15 mm |
| Длина | 10 mm |
| Серия | TK3A65D |
| Ширина | 4.5 mm |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.25 Ohms |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара