2N2222Ae3, Биполярные транзисторы - BJT
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание 2N2222Ae3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка / блок | TO-18-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка 2N2222Ae3 , Биполярные транзисторы - BJT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 264 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2213 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара