IXTP24N65X2M, МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Описание IXTP24N65X2M
Минимальная рабочая температура | 55 C |
---|---|
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | Through Hole |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
ECCN | EAR99 |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Вес изделия | 2.500 g |
Тип | X2-Class |
Конфигурация | Single |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 19 ns |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 390 W |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Количество каналов | 1 Channel |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 145 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Qg - заряд затвора | 36 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 50 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара