SSM3J353F.LF, моп-транзистор small-signal моп-транзистор id -2a, vdss -30v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор Small-signal МОП-транзистор ID -2A, VDSS -30V
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
SSM3J353F.LF
Описание SSM3J353F.LF
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SOT-346-3 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Высота | 1.1 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Серия | SSM3 |
| Ширина | 1.5 mm |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 125 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Qg - заряд затвора | 3.4 nC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара