2SCR514P5T100, Биполярные транзисторы - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание 2SCR514P5T100
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | 2SxR |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 700 mA |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 390 at 100 mA, 3 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 700 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара