TSM850N06CX RFG, МОП-транзистор 60V N Channel Power Mosfet
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор 60V N Channel Power Mosfet
Производитель:
Taiwan Semiconductor Co., Ltd
Артикул:
TSM850N06CX RFG
Описание TSM850N06CX RFG
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
|---|---|
| Вес изделия | 8 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1.7 W |
| Время спада | 17 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 68 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 9.8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 4.8 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара