TPWR8503NL,L1Q, моп-транзистор n-ch mosfet 30v 150a 8dsop
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор N-CH Mosfet 30V 150A 8DSOP
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
TPWR8503NL,L1Q
Описание TPWR8503NL,L1Q
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Серия | TPWR8503NL |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 5 mm |
| Ширина | 5 mm |
| Высота | 0.73 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Вес изделия | 104 mg |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DSOP-8 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 150 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Qg - заряд затвора | 74 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 142 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 89 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 9.6 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара