IXTF1R4N450, МОП-транзистор MSFT N-CH STD-VERY HI-VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTF1R4N450
Производитель:
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
15 862,49 ₽
Нет в наличии
Описание IXTF1R4N450
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | ISOPLUS-i4-PAK-3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Вес изделия | 6 g |
| Тип | High Voltage |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 60 ns |
| Время спада | 170 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 190 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 4.5 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Типичное время задержки выключения | 126 ns |
| Типичное время задержки при включении | 44 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTF1R4N450 , МОП-транзистор MSFT N-CH STD-VERY HI-VOLTAGE
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара