IXFT120N30X3HV, моп-транзистор msft n-ch ultra jnct x3 3&44
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXFT120N30X3HV
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Упаковка | Tube |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 4 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 14 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 735 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 120 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 170 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S |
| Типичное время задержки выключения | 130 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара