F3L11MR12W2M1B65BOMA1, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Код товара: 10467796

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
F3L11MR12W2M1B65BOMA1
Производитель:

Описание F3L11MR12W2M1B65BOMA1

Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Вид монтажаScrew Mount
Упаковка / блокModule
УпаковкаTray
ECCNEAR99
ПродуктIGBT Silicon Carbide Modules
СерияCoolSiC Module
Вес изделия39 g
КонфигурацияDual
ТехнологияSiC
Pd - рассеивание мощности20 mW
Коммерческое обозначениеCoolSiC ~ EasyPACK ~ PressFIT
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.75 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C50 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка F3L11MR12W2M1B65BOMA1 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.