2SC6026MFVGR,L3F, биполярные транзисторы - bjt vesm pln
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT VESM PLN
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SC6026MFVGR,L3F
Описание 2SC6026MFVGR,L3F
| Серия | 2SC6026 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.500 mg |
| Упаковка / блок | SOT-723-3 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Длина | 1.2 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Высота | 0.5 mm |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 60 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 150 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.15 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара